某些国家总是趾高气扬地认为中国人造不出DUVi和EUV，大量1450也在网络上各种唱衰这类
设备，从而唱衰中国半导体产业。大量中国网民不明所以，自信心深受打击，也跟风自我贬低。
这将让大量为此孜孜不倦，努力研发的科学家寒心！
今天本文就是想通过事实分析告诉大家，一定要对祖国有足够信心！涡扇15都量产了，晶圆曝光
设备DUVi和EUV还会远吗？国产DUVi量产交付之时就标志着我国拿下最后的工业明珠，也标志着
某些国家的科技霸权分崩离析！
春江微暖鸭先知，估计荷兰ASML早已获悉，我国自主研制的DUVi差不多要量产交付了，所以至今
仍然不限量供应NXT：1980Di。这可不是人家心软，而是我国同类产品即将量产交付，卖不卖NXT：
1980Di都不会影响我国半导体产业进步速度。
实际上，官方机构早已公布了我国DUVi四大关键零部件的进展。
DUVi由ArF光源、NA1.35物镜系统、浸液系统、双工件台四大系统组成，目前我国均已造出。
1、ArF光源
2022年3月18日，中科院微电子研究所在官方网站发布了《2021年年鉴》，文中提到：完成28nm
浸没光刻机曝光光源10mJ@4KHz工程样机交付整机使用及15mJ@6KHz原理样机研制。
10mJ@4KHz光源工程样机指的是输出功率为40W的ArF光源，用于DUV曝光设备，最高支持
65纳米制程工艺。15mJ@6KHz光源工程样机指输出功率为90W的ArF光源，
用于DUVi曝光设备，结合浸液系统，最高支持7纳米制程工艺，若不考虑成本，
可以做到5纳米制程工艺。这还是2020年的成就，经过近3年时间，足以量产90W的ArF光源。
2、物镜系统
支持DUVi的物镜系统NA值要达到1.35，国内一般称为“高NA浸没光学系统”。随便搜索都能查到
官方验收时间为2018年3月3日。
虽然目前公开信息无法查到NA1.35物镜系统的产业化信息，但根据以往经验，产业化耗时
也就1～2年而已，预计目前NA1.35物镜至少完成2代迭代改进！
3、浸液系统
杭州市临安区人民政府于2022年6月14日发布的一份题为《杭州市临安区经济和信息化局关于区政协
十届一次会议第203号提案的复函》的文件当中提到，“光刻机浸液系统项目、光刻机受制约关键
零部件国产化产品研发项目等两个02专项，其中，光刻机浸液系统项目已成功交付0号样机、1号机，
进入产品制造阶段。华卓精科承担的02专项光刻机工件台项目加快建设。”
这足以证明，截至2022年6月14日，DUVi所需的浸液系统已交付至少2套。
3、双工件台
早在2020年，华卓精科就宣称，公司DWS系列光刻机双工件台可实现优于4.5nm的运动平均偏差，已于
2020年4月向上海微电子发货；公司的DWSi系列光刻机双工件台运动平均偏差优于2.5nm，
可应用于ArFi光刻机，有望于2021年实现生产。
据了解，ASML的NXT：1980Di的套刻精度正好就是2.5纳米。现在回头来看，发现西方国家的情报
非常精准！ASML不允许高于NXT：1980Di的DUVi设备出口我国，可谓精准卡位！
2022年5月10日，《中国光学期刊网》一篇名为《超精密高速激光干涉位移测量技术与仪器》的研究论文
也证实，超精密激光干涉仪已经用于28纳米节点DUVi样机。
论文证实，国产DUVi已造出样机
由于DUV已经出货，这点从上海微电子官方网站就能得到证实，而DUVi仅比DUV多了浸液系统，
无需原理验证，这里的DUVi样机只能是工程样机。
由于DWS双工件台套刻精度仅为4.7纳米，而且仅支持DUV设备，并不能用于DUVi，而DUV最高只能
支持65纳米节点制程工艺，无法用于28纳米节点制程工艺。因此支持28纳米节点的前道
曝光设备只能是DUVi，而支持这种设备的第一代华卓精科DWSi双工件台套刻精度为2.5纳米。
据此我们可以反推出华卓精科研制的套刻精度为2.5纳米的DWSi双工件台起码在2022年5月
就已至少交付1台！
综上所述，国产DUVi至少已经发展到ASML公司NXT：1980Di水平，如果双工件台套刻精度
能够进一步提升，那么做到NXT：2000i或者NXT：2100i也是有可能的！国产DUVi具体达到
什么水平呢？就让某些不怀好意的国家慢慢猜。
据了解，当年台积电第一代7纳米制程工艺就是用NXT：1980Di/NXT：1970Ci量产的。因此，
我国自主研制的DUVi已经可以支持7纳米制程工艺了！只要能够量产7纳米制程工艺，
就足以满足绝大部分种类处理器生产工艺需求。
造出DUVi只是第一步，仍然需要时间调试，才能顺利量产7纳米工艺，我们仍然不能掉以轻心！
仍需加紧研制EUV，才能彻底解决制程工艺卡脖子难题！
这或许就是我国仍在引进ASML公司NXT：1980Di曝光设备的主要原因，目的是为国产DUVi调试、
改进、完善和发展成熟争取更多时间。